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Datasheet下载- 型号： RN2603(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2603(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2603(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2603(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2603(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2603(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN2603(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件适用于需要简化电路设计、提高可靠性和节省PCB空间的场景。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口：用于微控制器或逻辑IC与负载（如LED、继电器、电机驱动器）之间的信号电平转换与驱动，其内置电阻可减少外部元件数量，简化设计。 2. 开关电路：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中作为小型开关使用，控制电源通断或模式切换。 3. 信号放大与缓冲：适用于低频小信号处理，提供稳定的电流增益和信号隔离。 4. 消费类电子产品：广泛应用于家电控制板、电源管理模块、传感器接口等，因其高集成度和稳定性而受到青睐。 5. 工业控制：用于PLC模块、继电器驱动、光耦输入级等，提升系统可靠性并降低故障率。 RN2603(TE85L,F)采用SOT-563（US6）小型封装，适合高密度贴装，工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），具备良好的热稳定性和耐用性。其预偏置设计有效避免了传统分立晶体管偏置电路调试复杂的问题，显著缩短开发周期，降低生产成本。 综上，该器件特别适用于对空间、功耗和可靠性要求较高的中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP SM6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2603(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | RN2603(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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