Datasheet下载- 型号： MUN5131DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5131DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5131DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5131DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5131DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5131DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5131DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-26封装。该器件集成了两个NPN型BJT晶体管，每个晶体管的基极和发射极均内置偏置电阻网络，简化了外部电路设计，提高了系统可靠性。 该型号主要应用于需要紧凑设计和高集成度的低功率开关与信号放大场景。典型应用包括：消费类电子产品中的逻辑电平转换、LED驱动控制、小型继电器或蜂鸣器驱动；便携式设备中的电源管理与负载开关控制；以及各类印刷电路板中用于替代分立晶体管和电阻组合，以节省PCB空间并提升生产良率。 由于内置偏置电阻，MUN5131DW1T1G无需额外配置基极电阻，特别适合在微控制器I/O口驱动能力有限的场合使用，例如单片机控制的接口电路、传感器信号调理模块等。其稳定的电气性能和小封装特性也使其广泛应用于通信设备、家用电器控制板和工业自动化中的低速开关电路。 此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，MUN5131DW1T1G是一款高集成、易用性强的预偏置晶体管阵列，适用于对空间和可靠性要求较高的中低频开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5131DW1T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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