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Datasheet下载- 型号： PUMD13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PUMD13,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD13,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD13,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD13,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑IC与LED、继电器、小功率MOSFET等负载之间的信号缓冲与电平适配，简化设计并提升响应速度。 2. LED驱动：适用于中低电流（I<100 mA）LED指示灯或段式数码管的恒流/开关驱动，预偏置结构确保可靠导通与快速关断，降低功耗与PCB面积。 3. 开关电源中的辅助控制电路：如PWM信号整形、反馈信号隔离、使能（EN）信号调理等，利用其高输入阻抗与稳定开关特性。 4. 工业与消费类电子中的通用开关应用：如传感器信号调理、按键消抖、蜂鸣器驱动、小功率负载（≤200 mW）的通断控制等。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，支持高密度贴装；具备±5 kV HBM ESD防护（符合IEC 61000-4-2），适合对可靠性与空间敏感的便携设备与IoT终端。注意其最大集电极电流为100 mA（连续），不适用于大功率放大或高频率射频场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD13,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-5038-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
