Datasheet下载- 型号： PEMD12,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD12,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD12,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD12,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD12,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道 PNP/NPN 匹配型通用小信号晶体管（含内置偏置电阻的数字晶体管，Dual Digital Transistor），常用于低功耗、高集成度的开关与信号放大场景。其典型应用场景包括： - 逻辑电平转换与接口驱动：在微控制器（如ARM、MCU）与外围器件（LED、继电器、小型蜂鸣器）之间提供电平匹配与电流驱动能力； - LED 驱动电路：内置基极-发射极和基极-集电极电阻（R1=10kΩ, R2=10kΩ），简化PCB设计，实现直接IO口驱动多路LED； - 电源管理中的负载开关/使能控制：用于DC-DC转换器或LDO的Enable端控制，实现低静态电流启停； - 传感器信号调理前端：作为简单反相器或有源缓冲级，配合温度、光敏等模拟传感器提升驱动能力； - 消费电子与物联网终端：广泛应用于智能家电、可穿戴设备、无线模块（如蓝牙/Wi-Fi模组）的板载信号切换与状态指示电路中。 该器件采用SOT-666封装，体积小、热性能优，支持-65℃~+150℃工作温度范围，具备良好的ESD防护（HBM >8kV），适合高可靠性、空间受限的便携式及工业嵌入式应用。注意：虽归类为“BJT单个”，但PEMD12,115实为双通道集成器件（1 PNP + 1 NPN），非单晶体管，选型时需关注其双路协同使用特性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD12,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD12,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056859115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD12 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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