Datasheet下载- 型号： PEMD12,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD12,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD12,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD12,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、型号为PEMD12,115的器件属于晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置类别。该器件集成了多个预偏置双极型晶体管，常用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省PCB空间的应用场景。 该器件典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V信号转换为5V信号。 2. 接口电路：在微控制器或数字IC与外围设备之间提供缓冲或驱动能力，如LED驱动、继电器或小型电机控制。 3. 开关电路：用于中低功率开关应用，如电源管理、负载开关或传感器信号调节。 4. 汽车电子：由于Nexperia的产品具有较高的可靠性和温度适应性，该器件也适用于汽车中的通用开关和控制电路。 5. 消费类电子产品：如手机配件、智能家电、小家电控制板中，用于驱动继电器、LED背光或传感器模块。 由于采用预偏置设计，该器件内置基极电阻，可直接由逻辑信号驱动，无需外部偏置电路，简化设计并提高稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD12,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD12,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056859115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD12 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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