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- 型号： RN1902T5LFT
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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RN1902T5LFT产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1902T5LFT由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1902T5LFT价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1902T5LFT封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6。您可以下载RN1902T5LFT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1902T5LFT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1902T5LFT 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌下的一种 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，广泛应用于各类电子设备中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 数字开关电路：由于其内置偏置电阻，可直接用于逻辑电平转换、驱动LED、继电器、小型电机等负载，无需额外配置偏置电路，简化设计。 2. 逻辑电路接口：适用于将微控制器或数字IC的输出信号放大，以驱动更高功率的外围设备，常见于嵌入式系统和工业控制电路中。 3. 电源管理电路：用于低功耗电源切换或负载控制，如电池供电设备中的电源控制部分。 4. 传感器信号调理：在传感器模块中作为信号放大或开关元件，尤其适用于对空间和外围元件数量有要求的小型化设计。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，因其集成度高、封装小巧，适合高密度PCB布局。 6. 汽车电子：用于车载控制模块、LED照明驱动、继电器控制等场景，满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。 总结而言，RN1902T5LFT 凭借其集成预偏置电阻、节省空间、简化设计等优点，特别适用于需要高效、小型化、低成本的电子系统设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN US6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1902T5LFT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 其它名称 | RN1902T5LFTCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
