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产品简介:
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NSBC114YDXV6T1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,广泛应用于需要高效、稳定信号处理和功率控制的场景。该器件内部集成多个BJT晶体管及偏置电阻,简化电路设计,提升系统可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统中,实现高效能与低功耗控制。 2. 工业控制与自动化:在PLC、传感器接口和继电器驱动电路中作为开关元件,提供稳定的信号放大与隔离功能。 3. 通信设备:用于基站、光模块和网络设备中的信号调节和功率放大,支持高速数据传输。 4. 消费电子产品:如智能手机、平板和可穿戴设备中,用于音频放大、LED驱动和电池充电管理。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、照明控制和车载信息娱乐系统,满足汽车环境对可靠性和温度范围的严苛要求。 6. 电机控制与驱动:在小型电机和风扇控制中作为功率开关,支持PWM调速等应用。 该器件采用小型封装(如SOT-23或DFN),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。其预偏置设计有效减少外围元件数量,降低设计复杂度与成本。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSBC114YDXV6T1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC114YDXV6TOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 10 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |