Datasheet下载- 型号： NSBC115TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC115TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC115TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC115TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC115TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC115TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBC115TDP6T5G的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）的产品线，是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件通常包含多个集成的BJT晶体管，并带有内置偏置电阻，适用于需要简化电路设计、节省PCB空间和提高可靠性的场合。 主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口电路 在数字电路中，用于不同电压域之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号驱动至5V系统，或反之。 2. LED驱动电路 用于LED显示屏或照明系统中，作为电流控制开关，利用其内置电阻简化驱动设计。 3. 继电器或负载开关控制 用于控制继电器、电机、风扇等负载的开关电路中，作为前级驱动。 4. 电源管理电路 在DC-DC转换器或负载开关中作为控制元件，协助实现电源的高效切换。 5. 工业自动化与控制系统 用于PLC、传感器接口、执行器控制等场景，提高系统集成度与稳定性。 6. 消费类电子产品 如智能家电、玩具、遥控器等，用于小功率开关与信号处理。 优势特点： - 内置偏置电阻，简化外围电路； - 小型封装，节省空间； - 高可靠性，适合批量应用； - 支持表面贴装工艺，适合自动化生产。 总之，NSBC115TDP6T5G适用于多种中低功率开关与信号控制场景，尤其适合对空间和设计复杂度有要求的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC115TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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