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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH7,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH7,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH7,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMH7,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMH7,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH7,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,每路集成基极-发射极电阻(R₁)和基极-集电极反馈电阻(R₂),实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA 或逻辑IC输出端,驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等,简化电路并提升开关响应速度。 2. LED驱动电路:适用于中低电流(≤100 mA/通道)LED指示灯或段式数码管的恒流/开关控制,预偏置结构确保可靠导通与快速关断,降低功耗。 3. 信号切换与多路复用:在通信模块、传感器接口板中作为高速信号开关,支持3.3 V/5 V系统兼容,减少外围元件数量。 4. 工业控制与消费电子:广泛应用于打印机、家电主控板、电源管理单元中的负载开关、状态检测及电平整形电路。 该器件采用SOT-666封装,体积小、热性能优,具备高直流电流增益(hFE)、低饱和压降(VCE(sat))及ESD防护能力,适合空间受限且需高可靠性、低成本的设计。注意其最大集电极电流为100 mA(连续),不适用于大功率开关或线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH7,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH7,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056863115 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH7 T/R |
| 频率-跃迁 | - |