Datasheet下载- 型号： PEMB9,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB9,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB9,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMB9,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB9,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB9,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB9,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如 ARM、PIC、ESP32）GPIO 引脚驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器，简化电路并提升开关可靠性； - 信号切换与多路控制：在消费电子（如电视遥控接收模块、智能家电控制板）中作为低功耗信号开关，实现多路输入/输出的快速通断； - 传感器信号调理前端：配合光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器，提供抗干扰增强的缓冲/反相功能； - 电源管理辅助电路：用于负载开关控制、电池供电设备的外设电源启停管理（如关闭未使用模块以降低待机功耗）； - 工业 I/O 模块：在 PLC 扩展板或HMI接口中作为隔离式输入采集前端（配合光耦后级），提升抗噪性与系统鲁棒性。 该器件采用 SOT-363（SC-70-6）超小封装，支持高密度贴装；具备±8kV HBM ESD防护、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C），适用于空间受限且需稳定可靠运行的便携式及工业级应用。注意：不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB9,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934057047315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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