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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB9,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB9,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMB9,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB9,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB9,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、型号为PEMB9,315的器件属于“晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置”类别,是一种集成了预偏置电阻的双极型晶体管阵列。该器件常用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省PCB空间的应用中。 其主要应用场景包括: 1. 开关电路:用于数字电路中的逻辑开关、继电器驱动、LED驱动等场合,预偏置设计可省去外部偏置电阻,简化外围电路。 2. 信号放大:适用于低频信号放大电路,如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。 3. 嵌入式系统与工业控制:在工业自动化控制设备、嵌入式控制器中,用于驱动继电器、小型电机、电磁阀等负载。 4. 消费电子产品:如智能家电、智能仪表、玩具等,用于控制和驱动各种小型负载。 5. 汽车电子:在车载控制系统中,如车灯控制、传感器信号处理等场景,其集成特性有助于提升系统可靠性和稳定性。 该器件具有体积小、集成度高、使用方便等优点,适合对空间和设计复杂度有要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PEMB9,315 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934057047315 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |