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Datasheet下载- 型号： RN2904FE(T5L,F,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2904FE(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2904FE(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2904FE(T5L,F,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2904FE(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2904FE(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN2904FE(T5L,F,T) 是由东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-26），适用于空间受限的高密度电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换和逻辑控制电路。 2. 电源管理与开关电路：内置偏置电阻简化了外部元件设计，适合用于LED驱动、DC-DC转换器的控制端以及电池供电系统的开关控制。 3. 接口电平转换：在微控制器与外围设备之间实现电平匹配与信号缓冲，提升系统稳定性。 4. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、传感器模块等，用于小信号放大或数字开关功能。 5. 工业控制与通信设备：适用于继电器驱动、光电耦合器接口、数据线路驱动等中低频应用。 RN2904FE(T5L,F,T) 的集成电阻设计减少了PCB布板面积，提高了可靠性，同时降低了生产和设计成本，特别适合追求小型化和高效率的现代电子系统。其稳定的电气性能和良好的温度适应性，使其在多种工作环境下均能可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2904FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2904FE(T5L,F,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN2904FE(T5LFT)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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