Datasheet下载- 型号： NSBA114YDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114YDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114YDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA114YDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114YDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114YDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBA114YDXV6T1G 的晶体管属于 ON Semiconductor（安森美半导体） 生产的 预偏置双极性晶体管阵列，常用于需要高集成度和稳定偏置电路的场合。 该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并带有内置偏置电阻，能够简化外围电路设计、减少元件数量，提高系统的稳定性与可靠性。其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换电路：在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换。 2. 驱动电路：如LED驱动、继电器或小型电机控制电路中，作为开关使用。 3. 接口电路：用于微控制器与外部设备之间的信号隔离与放大。 4. 电源管理电路：如负载开关、电池供电设备中的功率控制。 5. 消费类电子产品：如手机、平板电脑、智能穿戴设备等对空间和功耗有要求的小型电子设备中。 由于其封装小巧、集成偏置电阻、响应速度快等特点，NSBA114YDXV6T1G特别适用于高密度PCB布局和自动化生产场景，有助于降低设计复杂度并提升产品稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114YDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114YDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSBA114YDXV6T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商