ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD10,135
Datasheet下载- 型号： PUMD10,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD10,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD10,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD10,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD10,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD10,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PUMD10,135 是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，集成了两个带内置偏置电阻的NPN晶体管，适用于需要简化电路设计和节省PCB空间的场景。该器件广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制领域。 典型应用场景包括逻辑信号电平转换、开关控制、LED驱动、音频信号放大以及小型继电器或负载的驱动。由于内置偏置电阻，PUMD10,135无需外部基极电阻，降低了元件数量和装配成本，提高了系统可靠性，特别适合高密度贴装的便携设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 此外，该器件具有良好的开关特性与稳定的直流增益，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于环境条件多变的工业传感器、电源管理模块及接口电路中。其SOT26封装体积小巧，便于实现紧凑型设计，同时具备良好的散热性能和电气隔离能力。 综上所述，PUMD10,135凭借集成化设计、高可靠性和小尺寸优势，广泛用于消费电子、通信设备、工业自动化和便携式电源系统中的信号处理与开关控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD10,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055239135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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