Datasheet下载- 型号： NSVBC114YDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVBC114YDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVBC114YDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSVBC114YDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVBC114YDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVBC114YDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSVBC114YDXV6T1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置型。该器件内部集成了多个预偏置晶体管，通常用于简化电路设计并提高集成度。 主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换电路： 由于预偏置BJT集成有偏置电阻，适合用于不同电压域之间的信号转换，例如将低压微控制器信号转换为高电压控制信号。 2. 驱动电路： 可用于LED、继电器、小型电机等负载的开关控制，特别是在需要多个独立驱动通道的设计中，其阵列结构可节省PCB空间。 3. 接口电路： 在数字电路与模拟电路之间提供缓冲或隔离，提升系统稳定性和抗干扰能力。 4. 汽车电子系统： 适用于车载控制模块、传感器接口、车载照明控制等场景，具备一定的温度稳定性和可靠性。 5. 工业控制与自动化： 常用于PLC模块、工业传感器信号调理电路中，实现快速开关和可靠控制。 6. 消费类电子产品： 如智能家电、遥控器、电源管理模块中，作为低成本、高集成度的开关元件使用。 该器件采用小型封装（如XDFN等），适合高密度布局，适用于对空间和功耗有要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVBC114YDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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