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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD2,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD2,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMD2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMD2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMD2,115 是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了两个带内置偏置电阻的 NPN 晶体管。该器件采用 SOT-26 封装,具有体积小、集成度高、外围元件少等优点,适用于空间受限且对可靠性要求较高的电子系统。 PEMD2,115 广泛应用于便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,常用于信号切换、电平转换和LED驱动电路。其内置偏置电阻简化了电路设计,无需外接基极电阻,提高了生产一致性并降低了整体成本。 此外,该器件也适用于工业控制、电源管理模块和接口电路中的逻辑驱动与开关应用。由于其良好的开关特性和稳定的偏置配置,特别适合用于低功率数字信号控制场景,例如微控制器与负载之间的缓冲级或继电器驱动。 在汽车电子中,PEMD2,115 可用于车身控制模块(如车灯控制、风扇驱动)等非动力总成系统,满足AEC-Q101认证要求的版本更适用于严苛环境下的稳定运行。 总体而言,PEMD2,115 凭借其高集成度、节省PCB空间和简化设计的优势,成为现代电子设备中理想的通用开关元件解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD2,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056860115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD2 T/R |
| 频率-跃迁 | - |