Datasheet下载- 型号： NSBA114TDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA114TDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114TDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA114TDXV6T1 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要高集成度和稳定偏置的电路设计中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 数字开关电路：该器件适用于数字逻辑电路中的开关控制，由于其内置偏置电阻，可简化电路设计并提高开关稳定性。 2. 接口电路：在数字与模拟电路之间或不同电压域之间的信号接口中，NSBA114TDXV6T1可作为电平转换和信号驱动元件，提高信号传输的可靠性和效率。 3. LED驱动：该器件可用来驱动LED背光或指示灯，特别是在需要多个晶体管协同工作的场合，集成的BJT阵列可节省PCB空间并提高系统集成度。 4. 传感器信号调理：在传感器应用中，用于放大或开关控制，尤其是在需要稳定偏置点的模拟信号处理电路中。 5. 工业控制与自动化：广泛应用于PLC、继电器驱动、电机控制等工业自动化设备中，作为关键的开关元件。 该器件采用小型封装，适合高密度电路设计，且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于消费电子、汽车电子及工业控制等多个领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114TDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114TDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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