Datasheet下载- 型号： PEMH2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH2,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMH2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMH2,115 是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，适用于多种通用开关和放大应用场景。该器件集成两个带有内置基极和发射极电阻的PNP晶体管，简化电路设计，减少外部元件数量，提高系统可靠性。 PEMH2,115 常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和家用电器中的信号切换与逻辑控制；在便携式设备中，因其小型化封装（如SOT-457），有助于节省PCB空间。此外，它也广泛应用于工业控制模块、传感器接口电路和低功耗驱动电路中，实现电平转换、LED驱动或小信号放大功能。 由于内置偏置电阻优化了工作点稳定性，该器件在噪声抑制和温度稳定性方面表现良好，适合在环境变化较大的条件下使用。同时，其高开关速度和低饱和电压特性使其在数字逻辑应用中具备高效响应能力。 总体而言，PEMH2,115 凭借其紧凑设计、高可靠性和易用性，特别适用于需要小型化、低功耗和稳定性能的电子控制系统，是现代电子设计中理想的预偏置晶体管解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH2,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056868115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH2 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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