Datasheet下载- 型号： NSBC124EPDXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC124EPDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC124EPDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC124EPDXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC124EPDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC124EPDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC124EPDXV6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT晶体管，每个均内置基极-发射极电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电平转换电路。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统（如1.8V与3.3V之间）中实现高效电平转换，适用于微控制器接口、I/O扩展等场景。 3. 驱动电路：用于LED指示灯、小型继电器或蜂鸣器的开关控制，内置电阻减少外围元件数量，提高可靠性。 4. 电源管理开关：在电池供电系统中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗。 5. 消费类电子产品：如家用电器控制板、遥控器、传感器模块等，用于信号放大与数字开关功能。 6. 工业与汽车电子：适用于对空间和稳定性要求较高的环境，如车载信息模块、小型电机控制等。 NSBC124EPDXV6T5G因其集成度高、响应速度快、温度稳定性好，成为替代传统分立晶体管加电阻组合的理想选择，特别适合追求小型化和高可靠性的现代电子设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC124EPDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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