Datasheet下载- 型号： MUN5116DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5116DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5116DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5116DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5116DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5116DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5116DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个由电阻预偏置的NPN晶体管。该器件采用SOT-26封装，具有小型化、高可靠性与简化设计的优点。 其主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于手机、平板、电视及机顶盒中的信号切换、LED驱动和逻辑电平转换电路，得益于其小尺寸和无需外部偏置电阻的设计，有助于节省PCB空间并降低成本。 2. 便携式设备：在电池供电设备如蓝牙耳机、智能手表和无线传感器中，用于开关控制和低功耗信号放大，其低导通电流和快速响应特性有助于延长电池寿命。 3. 工业控制与家电：应用于继电器驱动、电机控制、电源管理模块以及微控制器接口电路中，实现数字信号对负载的高效控制。 4. 汽车电子：适用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、传感器接口等非动力系统领域，满足AEC-Q101车规认证要求，具备良好的温度稳定性和抗干扰能力。 5. 通用逻辑接口与驱动电路：可替代传统分立晶体管方案，简化电路设计，提高组装效率，常用于I/O扩展、逻辑门驱动和小功率开关应用。 总之，MUN5116DW1T1G凭借集成电阻、高可靠性及紧凑封装，特别适合空间受限且追求高集成度的中低功率开关与信号处理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5116DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5116DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5116DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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