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Datasheet下载- 型号： RN2909FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2909FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2909FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2909FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2909FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2909FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为RN2909FE(TE85L,F)的双极晶体管（BJT）阵列 - 预偏置，主要应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电子电路中。以下是其典型应用场景： 1. 音频放大器： 该器件适用于音频信号放大电路，尤其是在低失真和高保真度要求的场景中。预偏置设计可以减少调整时间，提高音频质量。 2. 运算放大器和比较器： 在精密运放或比较器的设计中，RN2909FE(TE85L,F)可作为输入级晶体管，提供稳定的增益和快速响应特性。 3. 传感器信号调理： 用于处理微弱信号的传感器电路中，例如压力传感器、温度传感器等，其低噪声和高灵敏度特性非常适合此类应用。 4. 电源管理： 在开关电源或线性稳压器中，该晶体管可用于驱动电路或反馈回路，确保系统的稳定性和效率。 5. 通信设备： 在射频（RF）和中频（IF）电路中，该器件可用于信号调制、解调和放大，支持高效的数据传输。 6. 工业控制： 适用于工业自动化中的信号放大和驱动电路，如电机控制、伺服系统等，提供可靠的操作性能。 7. 医疗设备： 在心电图机、超声波设备等医疗仪器中，该晶体管可用于信号采集和放大，确保数据的准确性和可靠性。 RN2909FE(TE85L,F)的预偏置特性使其在复杂电路中更容易实现精确的电流控制，同时其高性能参数能够满足多种高端应用的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2909FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2909FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN2909FE(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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