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  • 型号: PUMD17,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD17,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD17,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD17,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PUMD17,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD17,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMD17,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装,具有低功耗、高可靠性及优异的开关一致性。

主要应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO端口驱动LED、小型继电器或光耦输入级,简化电路设计;  
2. 负载开关与信号切换:在便携式设备(如TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点)中控制低电流负载(≤100 mA),降低PCB面积与BOM成本;  
3. 多路信号调理与缓冲:在工业控制板或通信模块中作为双通道电平缓冲器或反相器,提升抗干扰能力;  
4. 电池供电设备的省电设计:因预偏置结构可精确设定工作点,避免饱和过深,利于快速关断,延长电池寿命。

其ESD防护(HBM ≥2 kV)、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及AEC-Q101兼容性(部分批次),也支持汽车电子中的非安全关键子系统(如车窗控制、氛围灯驱动)。整体适用于对尺寸、成本与设计简洁性要求较高的中低速开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD17,115-

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产品型号

PUMD17,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

934057893115
PUMD17 T/R
PUMD17 T/R-ND

典型电阻器比率

2.13

典型输入电阻器

47 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMD17 T/R

频率-跃迁

-

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