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  • 型号: DDC114TU-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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DDC114TU-7-F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDC114TU-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC114TU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDC114TU-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载DDC114TU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDC114TU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DDC114TU-7-F是Diodes公司生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,主要应用于需要高效、稳定晶体管开关或放大功能的电路中。该器件内部集成一个或多个BJT晶体管,并带有预设偏置电路,简化了外围设计,提高了电路稳定性。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源切换控制,实现高效能和低功耗管理。

2. 逻辑接口电路:在数字电路与模拟电路之间起接口作用,如将微控制器信号转换为更高电压或电流输出,以驱动负载。

3. LED驱动:用于LED背光或照明控制电路中,提供稳定的电流控制和开关功能。

4. 传感器接口:用于放大传感器微弱信号或作为开关控制,提高响应速度和精度。

5. 工业控制与自动化:用于PLC、继电器驱动、电机控制等工业设备中,提供可靠开关与信号放大功能。

6. 消费类电子产品:如手机、平板、智能穿戴设备中,用于电源切换、信号处理等场景,满足小型化与低功耗需求。

该器件采用小型封装(如SOT-26),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和可靠性,适用于广泛的工作温度范围,适合工业级应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDC114TU-7-F-

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产品型号

DDC114TU-7-F

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 100µA, 1mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

DDC114TU-FDICT

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

DDC114T

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

250MHz

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