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  • 型号: PUMB3,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMB3,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB3,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMB3,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),支持直接逻辑电平驱动,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括:

- 数字接口电平转换与信号缓冲:适用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO扩展,驱动LED、小型继电器或光耦输入端,简化PCB设计。
- 低功耗开关应用:在便携式设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备)中用于控制LED背光、蜂鸣器、指示灯等负载(最大Ic=100 mA,VCEO=50 V)。
- 总线/IO端口保护与驱动:作为开漏输出的上拉增强或电流放大级,提升驱动能力并抑制噪声。
- 工业控制模块:用于PLC输入调理、按钮去抖、状态检测等中低速(fₜ≈100 MHz)开关场景。

该器件采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,体积小、热性能优,支持-65℃~+150℃工作温度范围,具备AEC-Q101认证(部分批次),亦可用于汽车电子中的非安全关键系统(如车身控制模块)。其预偏置结构显著降低设计复杂度与BOM成本,适合高可靠性、小尺寸及快速开发需求的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB3,115-

数据手册

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产品型号

PUMB3,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-11278-1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMB3 T/R

频率-跃迁

-

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