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PUMB3,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB3,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB3,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),支持直接逻辑电平驱动,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: - 数字接口电平转换与信号缓冲:适用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO扩展,驱动LED、小型继电器或光耦输入端,简化PCB设计。 - 低功耗开关应用:在便携式设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备)中用于控制LED背光、蜂鸣器、指示灯等负载(最大Ic=100 mA,VCEO=50 V)。 - 总线/IO端口保护与驱动:作为开漏输出的上拉增强或电流放大级,提升驱动能力并抑制噪声。 - 工业控制模块:用于PLC输入调理、按钮去抖、状态检测等中低速(fₜ≈100 MHz)开关场景。 该器件采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,体积小、热性能优,支持-65℃~+150℃工作温度范围,具备AEC-Q101认证(部分批次),亦可用于汽车电子中的非安全关键系统(如车身控制模块)。其预偏置结构显著降低设计复杂度与BOM成本,适合高可靠性、小尺寸及快速开发需求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB3,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11278-1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB3 T/R |
| 频率-跃迁 | - |