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Datasheet下载- 型号： PUMB3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PUMB3,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB3,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB3,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要高效、稳定和小型化设计的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理和负载开关：适用于DC-DC转换器、电压调节器中的控制电路，实现对负载的快速开关控制。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中用于不同电压域之间的信号转换，例如将微控制器输出的低电压信号转换为高电压信号驱动外部设备。 3. LED驱动与控制：可用于LED背光或指示灯的开关控制，特别是在便携式设备中对空间和功耗要求较高时。 4. 工业自动化和传感器接口：作为信号放大器或开关元件，连接传感器与控制系统，提升系统响应速度和稳定性。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，用于电池管理、外围设备控制等功能模块。 该器件集成预偏置电阻，简化了外部电路设计，提高了可靠性，并有助于减少PCB面积，适合高密度组装和自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB3,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11278-1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB3 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
