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Datasheet下载- 型号： PBLS2001D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS2001D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2001D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2001D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2001D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS2001D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS2001D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS2001D,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。该器件采用小型 SOT-363（SC-70-6）封装，具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 典型应用场景包括： • 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO端口驱动LED、小型继电器或光耦输入级，简化电路设计； • 负载开关与信号切换：在便携式设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中控制低电流负载（≤100 mA），降低PCB面积与BOM成本； • 电池供电设备的省电控制：利用其低待机电流（ICEX < 100 nA）和快速关断特性，实现外设模块的电源启停管理； • 工业与消费类电子中的简单放大/开关阵列：如键盘扫描矩阵、状态指示灯控制、小功率蜂鸣器驱动等对成本与空间敏感的应用。 其预偏置结构显著提升设计鲁棒性（避免因β离散性导致的工作点漂移），适用于大批量、高一致性要求的消费电子及嵌入式系统。注意：不适用于大电流、高频率（>100 MHz）或线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2001D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBLS2001D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 280mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 220 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7226-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 at NPN |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | - 2 A |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 零件号别名 | PBLS2001D T/R |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
