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PBLS2001D,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2001D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2001D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2001D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS2001D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS2001D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置的型号PBLS2001D,115,是一种集成预偏置电阻的双极型晶体管阵列器件。该器件通常包含多个BJT晶体管,并内置偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了电路稳定性。 该型号常用于以下应用场景: 1. 逻辑电平转换:适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号,广泛用于嵌入式系统和接口电路中。 2. 驱动电路:用于驱动LED、继电器、小型电机等负载,预偏置设计可减少外围元件数量,提高系统可靠性。 3. 开关应用:因其集成电阻和高开关速度,适用于电源管理、负载开关和缓冲器电路中。 4. 工业控制:用于工业自动化设备中的信号处理和控制电路,提供稳定可靠的开关性能。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家电等,用于电源控制、信号处理和接口保护电路。 该器件采用SMD封装,适用于自动化贴片生产,适合高密度PCB布局,广泛应用于需要高效、小型化设计的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBLS2001D,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBLS2001D,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V / 220 @ 500mA,2V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-7226-6 |
典型电阻器比率 | 1 at NPN |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 600mW |
功率耗散 | 400 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
峰值直流集电极电流 | - 2 A |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V,20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,1A |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
集电极连续电流 | - 1 A |
零件号别名 | PBLS2001D T/R |
频率-跃迁 | 185MHz |