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Datasheet下载- 型号： RN1501(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1501(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1501(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1501(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1501(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1501(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为RN1501(TE85L,F)的双极晶体管（BJT）阵列 - 预偏置，主要应用于需要高精度、稳定性和可靠性的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 音频放大器 - RN1501(TE85L,F)适合用于音频信号放大，尤其是低失真和高保真度要求的场景。预偏置特性使其能够提供稳定的直流工作点，从而减少失真并提高音质。 - 应用实例：家用音响设备、耳机放大器、汽车音响系统。 2. 功率放大器 - 该型号可用于功率放大器的设计，支持中等功率输出。其高电流驱动能力和良好的热稳定性，使得它在功率放大应用中表现出色。 - 应用实例：工业控制设备中的功率驱动模块、通信设备中的信号放大。 3. 开关电路 - 在需要快速切换的电路中，RN1501(TE85L,F)可以作为开关元件使用。预偏置设计有助于减少开关时间，提高效率。 - 应用实例：电源管理电路、继电器驱动电路、电机控制电路。 4. 传感器信号调理 - 该型号可用于传感器信号的放大和调理，尤其适用于微弱信号的处理。其低噪声特性和稳定的增益性能，非常适合精密测量系统。 - 应用实例：温度传感器、压力传感器、光电传感器的信号放大。 5. 通信设备 - 在通信领域，RN1501(TE85L,F)可用于射频（RF）信号的放大或调制解调电路中。其高频响应能力满足通信系统的性能需求。 - 应用实例：无线通信模块、基站设备中的信号处理单元。 6. 工业自动化 - 该型号可广泛应用于工业自动化控制系统中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和变频器等设备，用于信号放大和功率驱动。 - 应用实例：工厂自动化生产线、机器人控制系统。 7. 医疗设备 - 在医疗电子领域，RN1501(TE85L,F)可用于心电图仪、超声波设备等精密仪器中，提供稳定的信号放大功能。 - 应用实例：生命体征监测设备、诊断仪器。 总结 RN1501(TE85L,F)凭借其预偏置设计、高精度和可靠性，适用于多种电子设备和系统中，特别是在需要稳定直流工作点和低失真的场景下表现优异。其典型应用包括音频放大、功率放大、开关电路、传感器信号调理、通信设备、工业自动化和医疗设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL NPN SMV 50V 100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1376873&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1501(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1501 |
| 产品型号 | RN1501(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | RN1501(TE85LF)CT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 250 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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