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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMB3AT110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMB3AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMB3AT110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMB3AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMB3AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为 IMB3AT110 的晶体管,属于预偏置双极型晶体管阵列(BJT Array)。该器件集成了多个晶体管及偏置电阻,适用于需要简化电路设计、提高稳定性的应用场合。 典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与缓冲驱动:适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,增强驱动能力,如微控制器与外围设备之间的接口电路。 2. LED显示驱动:可用于LED点阵或七段数码管的段选与位选驱动,集成电阻设计可减少外围元件数量,简化电路布局。 3. 继电器或小型负载驱动:作为开关使用,控制小型继电器、风扇、指示灯等负载,适用于家电、工业控制设备。 4. 音频信号放大:在低功率音频放大电路中作为前置放大或驱动级使用,尤其在便用分立元件设计受限时。 5. 汽车电子系统:因罗姆产品常面向车载应用,IMB3AT110可用于车身控制模块(如灯光控制、风扇调节)中,提升系统集成度与可靠性。 该器件具有集成度高、封装小巧、功耗低等优点,适合空间受限、要求高稳定性的电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IMB3AT110 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
供应商器件封装 | SMT6 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | 250MHz |