Datasheet下载- 型号： NSBC114TDXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114TDXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114TDXV6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，简化电路设计。该器件采用SOT-23封装，集成两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，适合需要紧凑设计和高可靠性的应用。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号开关与电平转换。 2. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关和电源使能控制，实现高效的电源通断管理。 3. 逻辑接口与驱动电路：在微控制器与高电压/电流负载之间提供缓冲，适用于LED驱动、继电器驱动或电机控制等场景。 4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器中的小信号放大和开关功能。 5. 工业控制与通信模块：用于传感器信号调理、I/O扩展及通信接口电平匹配。 NSBC114TDXV6T5G因集成了偏置电阻，减少了外围元件数量，提高了电路可靠性并节省PCB空间，特别适用于高密度组装和自动化生产环境。同时，该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接，适用于绿色环保电子产品设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114TDXV6T5GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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