Datasheet下载- 型号： NSBA115TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA115TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA115TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA115TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA115TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA115TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA115TDP6T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SMT封装（如SOT-563），体积小，适合高密度PCB布局。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号切换与电平转换电路。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间（如3.3V与1.8V或5V与3.3V）实现高效信号转换，常用于微控制器接口电路。 3. LED驱动与指示灯控制：内置偏置电阻简化了外部电路设计，使其非常适合驱动LED指示灯或背光模块。 4. 开关电路：作为固态开关用于继电器替代、传感器信号调理、小功率负载控制等场景，提高系统可靠性并减少元件数量。 5. 噪声敏感环境：由于预偏置设计减少了外部干扰可能，适用于对稳定性要求较高的消费类电子和工业控制模块。 NSBA115TDP6T5G具备高可靠性、良好的温度稳定性和AEC-Q101车规认证，也可用于汽车电子中的小型控制单元，如车灯控制、按钮检测等。其集成化设计显著降低了设计复杂度和生产成本，是现代电子系统中理想的通用型晶体管解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA115TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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