Datasheet下载- 型号： NSBC124EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC124EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC124EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC124EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC124EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC124EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC124EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-23封装。该器件集成了一个NPN晶体管及内置基极和发射极电阻，简化电路设计，提高可靠性。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，NSBC124EDXV6T1G非常适合用于逻辑电平转换、驱动LED、继电器或小功率负载的开关控制，广泛应用于消费电子、家电控制板和工业自动化设备中。 2. 信号放大与处理：在低频信号放大电路中，可用于传感器信号调理或音频前置放大，适用于便携式设备和嵌入式系统。 3. 数字接口驱动：常用于微控制器与外围器件之间的接口缓冲和驱动，提升信号驱动能力，确保稳定通信。 4. 电源管理电路：在DC-DC转换器、电压检测和电源开关电路中，作为控制通断的开关元件，实现高效节能。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动）等环境要求较高的场合。 6. 便携设备：因其小型化封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的空间受限应用。 NSBC124EDXV6T1G具有高可靠性、温度稳定性好、组装简便等优点，是替代分立晶体管加电阻组合的理想选择，有助于缩小PCB面积、降低生产成本并提升产品良率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC124EDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSBC124EDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC124EDXV6T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | NSBC124EDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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