Datasheet下载- 型号： NSBC113EPDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC113EPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC113EPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC113EPDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC113EPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC113EPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC113EPDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用小型SOT-563封装。该器件集成了两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，简化了电路设计，减少了外部元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关、电平转换和逻辑控制电路。 2. 电源管理与开关电路：适用于LED驱动、电池供电系统的负载开关，利用预偏置电阻实现快速可靠的导通与关断控制。 3. 数字逻辑接口：在微控制器与外围器件之间作为缓冲或驱动级，实现高低电平转换，增强驱动能力。 4. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、智能家居模块中，用于按钮输入检测、继电器或指示灯控制。 5. 工业与汽车电子：具备良好的温度稳定性与可靠性，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口及低功率控制单元。 NSBC113EPDXV6T1G因集成电阻设计，提升了电路稳定性，降低了噪声敏感性，适合高密度PCB布局，是替代传统分立晶体管+电阻组合的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBC113EPDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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