Datasheet下载- 型号： PEMB17,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB17,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB17,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB17,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB17,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB17,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB17,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=47 kΩ），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：在微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间提供简洁、可靠的开关控制，无需外置偏置电阻； 2. LED/指示灯驱动：直接驱动单颗或多颗中低电流LED（典型Ic≤100 mA），适用于消费电子、工业面板、家电状态指示； 3. 信号缓冲与反相器阵列：利用其内置电阻配置实现简易非门或缓冲功能，用于噪声抑制或信号整形； 4. 电池供电设备中的低功耗开关：因预偏置设计优化了开关速度与静态功耗平衡，适用于便携式仪器、IoT传感器节点等对PCB面积和BOM精简有要求的场景。 该器件不适用于高电压（VCEO=50 V）、大电流或高频放大场合，主要定位为通用、低成本、高集成度的数字开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB17,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058913115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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