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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB17,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB17,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB17,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB17,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB17,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMB17,115 是一款带预偏置电阻的双极性晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省空间的场景。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管及其偏置电阻,减少了外围元件数量,提高了电路的可靠性。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号,适用于嵌入式系统、微控制器接口等。 2. 开关电路:作为小功率开关使用,控制LED、继电器、小型电机等负载,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子中。 3. 信号放大:在低频模拟电路中用于信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等。 4. 汽车电子系统:由于其高可靠性和集成度,适合用于汽车中的灯光控制、电动窗、传感器驱动等模块。 5. 便携式设备:因体积小、功耗低,适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理或信号控制部分。 总之,PEMB17,115适用于需要集成、简化设计和提高稳定性的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB17,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058913115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |