Datasheet下载- 型号： SMUN5115DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5115DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5115DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5115DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5115DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5115DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5115DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管 (BJT) 阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低功耗和稳定性能的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - SMUN5115DW1T1G 可用于音频信号放大器或射频信号放大器中，提供稳定的增益和低失真性能。 - 其预偏置特性使得设计人员可以更轻松地实现线性放大功能，而无需复杂的偏置设置。 2. 开关应用 - 该器件适用于低功率开关电路，例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。 - 预偏置设计简化了开关操作，确保快速且可靠的导通和关断。 3. 传感器接口 - 在工业自动化和消费电子领域，SMUN5115DW1T1G 可用作传感器信号调理电路的一部分，将微弱的输入信号放大到适合后续处理的电平。 - 它特别适合与温度传感器、压力传感器或光电二极管等配合使用。 4. 电源管理 - 该晶体管阵列可用于简单的稳压电路或电流限制电路中，帮助调节输出电压或保护下游负载。 - 在便携式设备中，它可以用作电池充电管理的一部分。 5. 通信设备 - 在低频或中频通信系统中，SMUN5115DW1T1G 能够处理调制解调信号的放大和传输。 - 它的紧凑封装和高性能使其成为无线模块、调制解调器和其他通信设备的理想选择。 6. 测试与测量 - 在精密测试仪器中，这款 BJT 阵列可以用于构建高精度的电流源或电压基准电路。 - 它的稳定性有助于提高测量结果的准确性。 总结 SMUN5115DW1T1G 的优势在于其预偏置特性和高集成度，能够显著简化电路设计并降低功耗。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及测试与测量等领域，尤其适合对成本敏感且要求可靠性的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5115DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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