Datasheet下载- 型号： PEMD13,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD13,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD13,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD13,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD13,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。该器件采用 SOT-363（SC-70）小型封装，具有低功耗、高可靠性及节省PCB面积等优势。 典型应用场景包括： • 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO端口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化电路设计； • 信号开关与多路控制：在便携式设备（如智能穿戴、遥控器、传感器节点）中实现低速数字信号的通断切换； • 电源管理辅助电路：用于电池供电设备中的使能控制（EN/Disable）、负载开关或LDO使能信号调理； • 工业I/O模块：作为PLC输入缓冲、光电耦合器后级信号整形或隔离输出级的低成本开关单元； • 消费类电子：电视/机顶盒的按键扫描、红外接收电路中的信号放大与整形等。 其预偏置结构显著提升设计鲁棒性（避免因β离散性导致的开关不稳），支持100 mA连续集电极电流（IC），VCEO=50 V，适用于低压（3.3 V / 5 V）数字系统。注意：不适用于高频（>10 MHz）或线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD13,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056866115 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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