Datasheet下载- 型号： NSBC123JPDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123JPDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123JPDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC123JPDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123JPDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123JPDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC123JPDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个NPN型BJT晶体管，每个晶体管的基极和发射极均内置偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了系统可靠性。 该型号主要适用于需要小型化、高集成度和低成本驱动方案的场景。典型应用包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的LED背光驱动、电源开关控制等，得益于其小尺寸封装和低功耗特性。 2. 消费类电子产品：用于LCD面板的电平转换、按键信号放大、逻辑电平切换等数字信号处理电路。 3. 工业与汽车电子：在传感器信号调理、继电器或指示灯驱动、ECU模块中作为开关元件，具备良好的温度稳定性和可靠性。 4. 电源管理电路：用于DC-DC转换器的启停控制、负载开关或保护电路中的信号隔离与放大。 NSBC123JPDP6T5G具有高增益、快速开关响应和优良的热稳定性，配合内置电阻可减少元件数量，提升PCB布局效率，特别适合空间受限且对成本敏感的设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于现代电子产品的信号放大与功率开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123JPDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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