Datasheet下载- 型号： MUN5316DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5316DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5316DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5316DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5316DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5316DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5316DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN型BJT晶体管。该器件采用SOT-26封装，具有小型化、高集成度的特点，适用于空间受限的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统（如3.3V与5V之间）中实现信号转换，内置偏置电阻简化了外围电路设计。 2. 开关控制电路：广泛用于LED驱动、继电器或小功率负载的开关控制，预偏置结构使其可直接通过数字信号（如MCU输出）驱动，无需额外的基极电阻设计。 3. 便携式消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与信号切换模块，得益于其小尺寸和高可靠性。 4. 接口电路隔离与驱动：用于微控制器与外围设备之间的信号缓冲与隔离，提升系统稳定性。 MUN5316DW1T1G的优势在于减少元件数量、缩小PCB面积、提高生产良率，特别适合追求高集成度和低成本的批量应用。其内置电阻经激光修调，确保开关特性稳定，抗干扰能力强，适用于工业控制、家电控制板及通信设备等中低频开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5316DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5316DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5316DW1T1GOSCT |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5316DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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