Datasheet下载- 型号： MUN5215DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5215DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5215DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5215DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5215DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5215DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5215DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低功耗和稳定性能的电路设计中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 信号放大： 该器件适用于音频、视频或其他低频信号的放大电路。由于其预偏置特性，能够简化设计并提供稳定的增益。 2. 模拟开关： 在需要高性能模拟开关的应用中，MUN5215DW1T1G 可以用作快速切换元件，支持多路复用器或解复用器的设计。 3. 电流镜电路： 通过匹配良好的晶体管对，可以构建精确的电流镜电路，用于电源管理或参考电流生成。 4. 传感器接口： 该晶体管阵列可用于将微弱的传感器信号进行放大处理，例如温度传感器、压力传感器或光电二极管输出信号。 5. 线性稳压器： 在低压差线性稳压器（LDO）中，作为误差放大器的一部分，帮助实现更平滑的电压调节。 6. 伺服控制与电机驱动： 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，可以用作功率级元件，实现高效的速度和位置控制。 7. 通信设备中的缓冲器： 在射频（RF）或中频（IF）通信系统中，用作缓冲器以隔离输入和输出负载，减少干扰。 8. 测试测量仪器： 应用于精密仪表、示波器或数据采集系统中，确保信号完整性并提高测量精度。 总结来说，MUN5215DW1T1G 凭借其优异的电气特性和预偏置设计，在消费电子、工业自动化、医疗设备以及通信领域都有广泛的应用价值。具体选择时需结合实际需求评估其参数是否满足项目要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5215DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5215DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes- Small Signal Switching |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5215DW1T1G-ND |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 256 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363(PB-Free)-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
| 系列 | MUN5215DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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