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Datasheet下载- 型号： PUMH1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PUMH1,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMH1,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=2.2 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度。 2. 高密度信号开关/多路控制：双通道结构适合需并行控制两路低功率负载的场合，如键盘扫描、状态指示灯切换、传感器使能控制等。 3. 工业与消费类电子中的电平位移与反相缓冲：在3.3 V/5 V混合系统中，作为低成本、小封装（SOT363）的电平适配器或反相器使用，增强抗干扰能力。 4. 电池供电设备的低功耗开关：具备较低的饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC=10 mA）和可控的输入电流，有助于延长便携设备续航。 5. 替代分立偏置BJT方案：显著减少PCB面积与元件数量，提高生产良率与可靠性，广泛用于打印机、家电主控板、IoT终端等对成本与空间敏感的应用。 注意：不适用于大电流（IC > 100 mA）、高频放大或线性模拟应用。实际使用需参考NXP官方数据手册进行热设计与驱动能力校核。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH1,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-8116-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH1 T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
