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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBC123JDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123JDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123JDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC123JDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123JDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123JDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBC123JDP6T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用小型SOT-563封装。该器件集成了两个NPN晶体管，每个均配有内置基极和发射极电阻，简化了电路设计并减少了外部元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑电平转换。 2. 电源管理与开关控制：在DC-DC转换器、负载开关或LED驱动电路中，作为控制开关使用，利用预偏置电阻实现快速、稳定的导通与关断。 3. 逻辑接口电路：用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲或电平转换，提升系统兼容性与抗干扰能力。 4. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、传感器模块等，适用于需要小型化、高可靠性开关功能的场合。 5. 工业与汽车电子：在车载信息娱乐系统、车身控制模块中用于继电器驱动、输入信号调理等，具备良好的温度稳定性与可靠性。 NSBC123JDP6T5G因其集成电阻设计，避免了传统分立晶体管需外接偏置电阻的复杂性，提高了生产良率与一致性，特别适合高密度PCB布局和自动化贴装。同时，该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于环保要求较高的应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123JDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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