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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD20,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD20,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD20,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD20,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD20,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD20,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻网络(含基极-发射极和基极-集电极电阻),采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装,含两个独立的NPN通道。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光耦输入端,无需外置偏置电阻,简化PCB设计; 2. 低功耗开关应用:在便携式设备(如智能穿戴、遥控器、传感器节点)中用作负载开关,支持3.3V/5V逻辑直接控制,典型饱和压降低(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA),提升能效; 3. 信号调理与简单放大:在音频前端、传感器信号缓冲等对增益要求不高的场合,利用其固定β值(hFE≈160–450)实现稳定开关或小信号开关放大; 4. 冗余/双路控制电路:双通道结构便于构建互锁电路、双路指示灯控制或备份信号路径,提高系统可靠性。 该器件具备ESD保护(HBM > 2kV)、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及AEC-Q101兼容性(部分批次),亦可用于汽车电子中的车身控制模块(如车窗升降指示、仪表盘背光控制)等非安全关键场景。注意:不适用于线性放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD20,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD20,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058901115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD20 T/R |
| 频率-跃迁 | - |