Datasheet下载- 型号： NSBC114EDXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EDXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114EDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114EDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114EDXV6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列器件，内置两个电阻（通常为基极-发射极和基极-串联电阻），简化了外部电路设计。该器件采用SOT-23-6小型封装，适合高密度贴装。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：因其小尺寸和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制。 2. 电源管理与开关电路：常用于DC-DC转换器的驱动级、负载开关或继电器驱动，利用预偏置电阻实现快速开关响应，提高系统效率。 3. 数字逻辑接口：在微控制器与外围器件之间作为电平转换或缓冲器使用，增强驱动能力，减少外围元件数量。 4. LED驱动与指示灯控制：适用于低电流LED的开关控制，集成电阻可省去外部分立电阻，缩小PCB面积。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器中的小信号放大与开关应用。 6. 工业与汽车电子：因具备良好的温度稳定性和可靠性，可用于汽车信息娱乐系统、传感器接口及工业控制模块中的信号处理。 NSBC114EDXV6T5G的优势在于集成度高、设计简洁、响应速度快，有助于降低整体成本并提升系统稳定性，特别适合空间受限且追求高效能的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114EDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114EDXV6T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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