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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB3,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商,其品牌下的 PEMB3,115 是一款集成预偏置电阻的双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常包含多个BJT晶体管,每个晶体管的基极和发射极之间已集成偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 PEMB3,115 的主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要多个晶体管进行数字信号控制的场合,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制等。 2. 电源管理:用于电源开关、负载切换、DC-DC转换器中的控制电路,提高系统效率和集成度。 3. 汽车电子:在车载控制系统中,如车灯控制模块、电机驱动、传感器信号处理等场景中广泛应用。 4. 工业自动化:作为控制电路中的开关元件,用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器模块、工业传感器接口等。 5. 消费类电子产品:用于小型家电、智能控制器、充电设备等产品中,实现电路的简化与成本控制。 由于其集成预偏置电阻设计,PEMB3,115 可有效减少外围元件数量,提高电路稳定性,适用于对空间和可靠性有要求的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB3,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056867115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |