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  • 型号: PEMB3,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB3,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB3,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商,其品牌下的 PEMB3,115 是一款集成预偏置电阻的双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常包含多个BJT晶体管,每个晶体管的基极和发射极之间已集成偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。

PEMB3,115 的主要应用场景包括:

1. 数字开关电路:适用于需要多个晶体管进行数字信号控制的场合,如逻辑电平转换、继电器驱动、LED控制等。

2. 电源管理:用于电源开关、负载切换、DC-DC转换器中的控制电路,提高系统效率和集成度。

3. 汽车电子:在车载控制系统中,如车灯控制模块、电机驱动、传感器信号处理等场景中广泛应用。

4. 工业自动化:作为控制电路中的开关元件,用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器模块、工业传感器接口等。

5. 消费类电子产品:用于小型家电、智能控制器、充电设备等产品中,实现电路的简化与成本控制。

由于其集成预偏置电阻设计,PEMB3,115 可有效减少外围元件数量,提高电路稳定性,适用于对空间和可靠性有要求的中低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PEMB3,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1mA,5V

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

934056867115
PEMB3 T/R
PEMB3 T/R-ND

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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