Datasheet下载- 型号： PEMB3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB3,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB3,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB3,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个匹配的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、MCU）I/O口扩展，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL）转换为足够驱动LED、继电器或小功率MOSFET栅极的开关信号。 2. LED驱动电路：因集成限流电阻与稳定开关特性，适用于多路LED指示灯、数码管段选/位选控制，简化PCB布局并提升一致性。 3. 信号切换与多路复用：在通信模块（如UART、I²C缓冲）、传感器接口中作高速开关，利用其快速开关（tₚd ≈ 3.5ns）和低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）降低功耗。 4. 电池供电设备中的省电控制：支持1.8V–5.5V宽电源范围，配合低待机电流（ICEO < 100nA），适用于便携式仪器、IoT终端的外设使能/关断管理。 5. 工业IO模块输入调理：作为ESD保护后的前端信号整形器，增强抗干扰能力，适配24V工业信号电平转换（需配合分压）。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，节省空间，符合AEC-Q100 Grade 3（车载级）可靠性标准，亦广泛用于汽车电子（如车身控制模块）及消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB3,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056867115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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