Datasheet下载- 型号： DDC123JU-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDC123JU-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC123JU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDC123JU-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDC123JU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDC123JU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDC123JU-7-F是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品，广泛应用于多种电子设备和系统中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大：该型号的预偏置BJT阵列适用于低噪声、高增益的信号放大电路，例如音频前置放大器或传感器信号调理模块。由于其预偏置特性，能够简化设计并提高稳定性。 2. 开关控制：在需要快速响应和低功耗的开关应用中（如LED驱动、继电器控制等），DDC123JU-7-F可以作为高效的开关元件使用。其内部集成的多个BJT单元允许同时控制多个负载。 3. 电源管理：该器件可用于线性稳压器或其他简单电源管理系统中的电流调节和电压调整功能。通过精确设置工作点，确保输出稳定可靠。 4. 通信设备：在某些通信领域内，比如无线收发模块或者数据传输接口电路里，这款产品能提供必要的增益和支持功能，以保证信息准确无误地传递。 5. 消费电子产品：从家用音响到便携式媒体播放器，再到游戏控制器等各类消费类电子产品中，都可以找到此类组件的身影。它们帮助实现音量调节、按键扫描等功能。 6. 工业自动化：在工厂自动化过程中，这些晶体管可用于构建各种过程监控与反馈回路，从而优化生产效率并增强安全性。 总之，DDC123JU-7-F凭借其优异性能及灵活性，在众多行业领域都有着重要地位，并为工程师们提供了便捷高效的设计解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDC123JU-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDC123JU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DDC123JU-FDICT |
| 典型电阻器比率 | 0.05 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDC123J |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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