Datasheet下载- 型号： PEMB16,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB16,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB16,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB16,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB16,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。其采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO引脚扩展，驱动LED、小型继电器或蜂鸣器等负载； 2. 信号切换与多路复用：在便携式设备（如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点）中实现低电压（1.8V–5V）下的信号选通与状态控制； 3. 电源管理辅助电路：用于电池供电设备中的负载开关控制、使能信号调理及LDO/DC-DC转换器的使能端驱动； 4. 工业与汽车电子基础控制：在车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中承担按键扫描、指示灯控制、小功率传感器信号调理等任务（符合AEC-Q101可靠性标准，适用于车规级应用）。 该器件支持-65°C至+150°C工作温度范围，具备ESD防护（HBM ≥2 kV），适合空间受限、需简化PCB设计及提升量产一致性的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB16,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058912115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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