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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDA114TU-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDA114TU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDA114TU-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDA114TU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDA114TU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDA114TU-7-F是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场景。该器件内部集成了偏置电阻,使其在开关和放大电路中表现出色,特别适用于以下应用场景: 1. 逻辑电平转换:用于数字电路中不同电压电平之间的信号转换,提升接口兼容性。 2. 驱动LED和小型负载:在LED显示屏、指示灯控制等应用中,提供稳定的驱动能力。 3. 放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等。 4. 开关控制:用于继电器、风扇、马达等小功率负载的开关控制,具有良好的开关特性和稳定性。 5. 嵌入式系统与工业控制:在工业自动化、通信设备和消费类电子产品中,作为信号处理或功率控制的组成部分。 由于其集成设计,DDA114TU-7-F有助于减少PCB面积、降低成本并提升电路可靠性,适合高密度和高性能要求的电子系统中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DDA114TU-7-F |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 100µA, 1mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | DDA114TU-FDIDKR |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | 250MHz |