Datasheet下载- 型号： NSBC114EPDXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114EPDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114EPDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114EPDXV6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个带有内置偏置电阻的NPN晶体管。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度、空间受限的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于信号切换、电平转换和LED驱动等低功耗控制电路，得益于其小尺寸和无需外部偏置电阻的设计，可简化PCB布局并节省空间。 2. 电源管理与开关电路：在电池供电系统中作为开关元件，控制负载通断或实现逻辑电平转换，提高系统能效。 3. 接口电路：用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲或驱动，增强信号驱动能力，同时内置电阻可限制基极电流，提升电路可靠性。 4. 消费类电子：如家用电器控制板、遥控器、传感器模块等，适用于需要稳定、低成本开关功能的场合。 5. 工业与汽车电子：在非动力系统的控制模块中（如车身电子、灯光控制），提供可靠的信号放大与开关功能，具备良好的温度稳定性与抗干扰能力。 NSBC114EPDXV6T5G因集成度高、外围元件少、响应速度快，广泛应用于对体积、成本和可靠性有较高要求的中低频开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114EPDXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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