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  • 型号: NSVUMC2NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVUMC2NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVUMC2NT1G价格参考。ON SemiconductorNSVUMC2NT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSVUMC2NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVUMC2NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NSVUMC2NT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于 双极型晶体管(BJT)阵列 - 预偏置型。该器件内部集成了多个预偏置晶体管,适用于需要稳定偏置和快速开关的电路设计。

 主要应用场景包括:

1. 数字开关电路:适用于需要高速开关操作的数字电路,如逻辑电平转换、信号切换等。

2. 驱动电路:常用于LED驱动、继电器驱动、小型电机控制等场景,其预偏置特性可简化外围电路设计。

3. 放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等。

4. 嵌入式系统与工业控制:广泛用于工业自动化设备、嵌入式控制系统中的信号处理与控制模块。

5. 汽车电子:由于ON Semiconductor器件具有较高的可靠性和温度稳定性,NSVUMC2NT1G也适用于汽车电子中的控制单元和传感器接口。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适合在复杂环境中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SC70

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

NSVUMC2NT1G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-70

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

频率-跃迁

-

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