Datasheet下载- 型号： NSBA144EDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA144EDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA144EDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA144EDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA144EDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA144EDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA144EDP6T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个NPN晶体管，每个均配有内置基极和发射极电阻，简化了外围电路设计，提高了系统可靠性。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和LED驱动控制。 2. 电源管理与开关电路：在DC-DC转换器、负载开关和电源使能控制中，NSBA144EDP6T5G可用于驱动MOSFET栅极或实现逻辑电平转换，提升响应速度并减少元件数量。 3. 数字逻辑接口：适用于微控制器与高电压或大电流负载之间的接口电路，实现安全可靠的信号隔离与放大。 4. 消费类电子产品：如家用电器、遥控器、传感器模块等，用于按钮检测、继电器或指示灯驱动。 5. 工业控制与通信设备：在低速数据线路中作为开关或缓冲器，支持信号调理和噪声抑制。 该器件因集成电阻而无需外接偏置电阻，有效节省PCB空间，提高生产良率，特别适合高密度、小型化设计需求。同时，其稳定的电气性能和良好的温度适应性，确保在复杂环境中可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA144EDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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