Datasheet下载- 型号： PUMB30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB30,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMB30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMB30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB30,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含基极-发射极和基极-集电极电阻），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型结构为双NPN共发射极配置，具备低功耗、高集成度和简化外围设计的特点。 主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：如微控制器（MCU）GPIO 扩展输出，驱动LED、小功率继电器或蜂鸣器，无需外接偏置电阻； ✅ 信号开关与多路控制：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用于电源管理路径切换、传感器使能控制或I/O信号选通； ✅ 总线缓冲与隔离：在I²C、SPI等低速通信总线上提供弱上拉/下拉增强或通道隔离，提升抗干扰能力； ✅ 电池供电设备的省电设计：因内置精确匹配的偏置电阻，确保稳定饱和导通，降低静态电流（典型ICE < 100 nA），延长续航； ✅ 空间受限的消费电子与IoT终端：SOT-363封装（2.1×2.0×0.9 mm）支持高密度贴装，适用于智能门锁、遥控器、健康监测模块等紧凑型产品。 该器件符合AEC-Q100（Grade 3）可靠性标准，亦可用于工业控制板卡及汽车电子辅助系统（如车身控制模块中的状态指示电路）。注意：不适用于大电流（IC max = 100 mA）、高频放大或线性模拟应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMB30,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934059933115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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