Datasheet下载- 型号： SMUN5113DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5113DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5113DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5113DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5113DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5113DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5113DW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，属于BJT（双极结型晶体管）阵列器件。该器件内部集成了多个晶体管及其偏置电阻，适用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省PCB空间的应用场景。 该型号常用于以下应用场景： 1. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号，广泛应用于嵌入式系统和接口电路中。 2. 驱动电路：用于LED驱动、继电器驱动、小型电机驱动等场合，预偏置设计可减少外围元件数量，提高响应速度和可靠性。 3. 信号开关与放大：适用于低频信号的放大与开关控制，如音频信号切换、传感器信号调理等。 4. 电源管理电路：在电源控制、负载开关和电池管理系统中作为控制开关使用。 5. 工业控制与自动化设备：由于其高可靠性和集成度，适合用于PLC、工业传感器、继电器模块等工业自动化设备中。 该器件采用小型封装（如TSSOP），适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5113DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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