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  • 型号: NSBC144EDXV6T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC144EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC144EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC144EDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC144EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC144EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NSBC144EDXV6T1G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,采用SOT-23封装。该器件集成了一个或多个BJT晶体管,并内置基极和发射极电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。

NSBC144EDXV6T1G常用于需要小型化、高集成度和低功耗控制的电子系统中。其主要应用场景包括:

1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号开关、LED驱动和电源管理电路,得益于其小尺寸和低功耗特性。
2. 消费类电子:用于LCD背光控制、按键输入缓冲、逻辑电平转换和继电器驱动等。
3. 工业控制与自动化:在传感器接口、微控制器输出驱动和小型继电器/电磁阀控制中提供可靠开关功能。
4. 通信设备:适用于接口电路中的信号切换与放大,如数据线路的通断控制。
5. 汽车电子:用于车身控制模块(BCM)、车内照明控制、车窗电机驱动辅助电路等,满足AEC-Q101车规认证要求,具备良好的温度稳定性与可靠性。

该器件因内置偏置电阻,无需外部电阻网络,减少了元件数量和PCB面积,提升了生产良率。同时,其开关响应速度快、功耗低,适合高频开关和数字控制应用。总体而言,NSBC144EDXV6T1G广泛应用于对空间、成本和可靠性要求较高的嵌入式和混合信号系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC144EDXV6T1G-

数据手册

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产品型号

NSBC144EDXV6T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC144EDXV6T1GOSCT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

47 kOhms

功率-最大值

500mW

功率耗散

357 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

NSBC144EDXV6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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