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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDC113TU-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC113TU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDC113TU-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDC113TU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDC113TU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DDC113TU-7-F 是一款预偏置双极性晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于需要高效、稳定信号处理和逻辑控制的电子电路中。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管以及用于设定工作点的偏置电阻,简化了外围电路设计,提高了系统稳定性。 DDC113TU-7-F的主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于其内置偏置电阻,可直接用于微控制器或其他数字电路驱动负载,如LED、继电器、小型电机等,无需额外配置偏置电路。 2. 电平转换电路:在不同电压域之间进行信号转换时,该器件可用于隔离和匹配逻辑电平,常见于接口电路设计中。 3. 放大器前端电路:适用于低频小信号放大应用,尤其是在传感器信号调理电路中作为初级放大使用。 4. 汽车电子系统:因其具备良好的温度稳定性和可靠性,常用于汽车控制系统中的信号处理与驱动模块。 5. 便携式设备和消费类电子产品:得益于其小封装、低功耗特性,适合用在手机、平板、穿戴设备等对空间和能耗敏感的应用中。 综上所述,DDC113TU-7-F凭借其集成化设计和高可靠性,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDC113TU-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDC113TU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DDC113TU-7-F-ND |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 系列 | DDC113T |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |